?On Wafer WHS高溫無(wú)線(xiàn)晶圓測溫系統
On ?Wafer 高溫無(wú)線(xiàn)晶圓測溫系統通過(guò)自主研發(fā)的核心技術(shù)將傳感器嵌入晶圓集成,實(shí)時(shí)監控和記錄晶圓在制程過(guò)程中的溫度變化數據,為半導體制造過(guò)程提供一種高效可靠的方式來(lái)監測和優(yōu)化關(guān)鍵的工藝參數。瑞樂(lè )提供核心的DUAL SHIELD技術(shù),具有強抗干擾能力,可實(shí)現在干法刻蝕環(huán)境中正常工作,精準監測刻蝕工藝溫度;結合核心的TEMP-BLOCK技術(shù),可實(shí)現高溫環(huán)境中,精準監測制程溫度。
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產(chǎn)品優(yōu)勢:
1. 無(wú)線(xiàn)測溫采集:傳感器無(wú)需有線(xiàn)連接即可傳輸數據,滿(mǎn)足晶圓在復雜性狀況下通過(guò)無(wú)線(xiàn)通信方式進(jìn)行溫度測量。
2.實(shí)時(shí)測溫監測:系統可以提供實(shí)時(shí)溫度讀數,通過(guò)測溫數據觀(guān)察晶圓在工藝過(guò)程中的溫度變化過(guò)程。
3. 滿(mǎn)足高精度測量:采用高精度溫度傳感器確保數據的準確性,晶圓生產(chǎn)過(guò)程中精確控制工藝條件至關(guān)重要。
4.測溫數據分析能力:測量后的數據通過(guò)軟件分析和優(yōu)化工藝參數,提高產(chǎn)量和產(chǎn)品質(zhì)量。
5. 支持過(guò)程調整與驗證:通過(guò)分析在產(chǎn)品工藝條件下收集的溫度數據實(shí)現調整蝕刻和其他關(guān)鍵工藝步驟的條件,以確保最佳性能。
6. 全面熱分布區監測:在晶圓上支持多達81個(gè)位置同時(shí)進(jìn)行溫度監測,從而獲得全面的熱分布圖。
On Wafer WHS無(wú)線(xiàn)晶圓測溫系統 |
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Wafer尺寸 |
8”、12” |
測溫點(diǎn)數 |
53點(diǎn)/81點(diǎn)/可定制測溫點(diǎn) |
溫度范圍 |
15-400℃ |
溫度精度 |
±0.1℃/±0.2℃ |
sensor to sensor |
±0.1℃/±0.2℃ |
測溫元件 |
IC |
晶圓材質(zhì) |
硅片 |
厚度 |
1.4mm |
通信方式 |
無(wú)線(xiàn)通信傳輸 |
充電方式 |
無(wú)線(xiàn)充電 |
采樣頻率 |
2Hz/可選 |
測溫軟件 |
無(wú)線(xiàn)測溫專(zhuān)用軟件,實(shí)時(shí)顯示溫度場(chǎng)剖面圖及實(shí)時(shí)升溫曲線(xiàn)圖 |
配套主機 |
測溫系統配套主機 |
應用場(chǎng)景 |
光刻 刻蝕 化學(xué)氣相沉積(CVD) 物理氣相沉積(PVD) 離子注入 清洗 化學(xué)機械拋光 紫外光固化 |
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