碳化硅載盤(pán)-6寸9位方盤(pán)產(chǎn)品介紹
碳化硅載盤(pán),也稱(chēng)碳化硅托盤(pán)、SIC托盤(pán),碳化硅蝕刻盤(pán),ICP蝕刻盤(pán)。在半導體行業(yè)具有廣泛應用,CVD、RTP/RTA、真空濺射、刻蝕、蒸鍍、氣體沉淀等,比如,在對襯底進(jìn)行刻蝕時(shí),需通過(guò)碳化硅載盤(pán)承載半導體襯底。
碳化硅具有耐高溫(1500℃)、高比剛度、低的熱膨脹系數以及極佳的化學(xué)惰性,使其在光伏、半導體、新能源、航空航天工業(yè)中高溫、高腐蝕、高精度工況中應用廣泛。如碳化硅研磨盤(pán)應用于硅片拋光領(lǐng)域,比傳統的剛玉拋光盤(pán)壽命提高2-3倍。碳化硅筒體耐高溫、耐磨應用在高溫硅料生產(chǎn)的傳輸通道,在生產(chǎn)過(guò)程中不會(huì )污染硅料,保證產(chǎn)品品質(zhì)。
碳化硅載盤(pán)材質(zhì)成分是純SiC(純度>99.9%),與石墨基載盤(pán)相比,其使用壽命是后者的四倍,且長(cháng)期使用不變形,穩定性好,能夠耐各種強酸強堿化學(xué)試劑腐蝕(比如FH酸、濃H2SO4)。SiC載盤(pán)還具有優(yōu)秀的導熱性、低膨脹系數,抗熱沖擊性佳,耐電漿沖擊性等特點(diǎn)。
碳化硅載盤(pán)是采用高純超細碳化硅微粉,通過(guò)靜壓工藝成型、經(jīng)2450℃高溫燒結而制成??筛鶕脩?hù)設計圖紙要求進(jìn)行外徑、厚度尺寸,穴位數量、尺寸、取片槽位置和形狀進(jìn)行精加工,以滿(mǎn)足用戶(hù)的具體使用要求。
碳化硅載盤(pán)主要特點(diǎn)有:
1.耐高溫--1800℃溫度下正常使用;
2.高熱導性--和石墨材料的導熱性相當;
3.硬度高--硬度僅次于金剛石、立方氮化硼;
4.耐腐蝕--強酸、強堿對其無(wú)任何腐蝕,抗腐蝕性?xún)?yōu)于碳化鎢和氧化鋁;
5.重量輕--密度3.10g/cm3,與鋁接近;
6.不變形--極小的熱膨脹系數;
7.抗熱震--該材料可承受急劇的溫度變化,抗熱沖擊,耐急冷急熱,性能穩定。
碳化硅載盤(pán)主要應用領(lǐng)域:
LED芯片制造中的RTP/RTA快速高溫熱處理工藝、CVD、MOCVD、真空磁控濺射、刻蝕、蒸鍍、氣體沉淀。
基本參數
內容 | 單位 | 參數 |
碳化硅含量(Composition :SIC) | VOL% | 99.2-99.99 |
密度20℃(Density 20℃) | g/cm3 | ≥3.10 |
抗彎強度20℃(Flexural Strength 20℃) | MPa | 320-400 |
抗彎強度1300℃(Flexural Strength 1300℃) | MPa | 360-410 |
熱膨脹系數(Coefficient of thermal ) | 10(-6)*k(-1) | 4.0 |
熱導率20℃(Thermal conductivity 20℃) | W.m(-1)*k(-1) | 140 |
最高使用溫度 | ℃ | 1900 |
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內容 | 參數 |
材料 | 純硅 SiC |
晶圓直徑 | 100/125/150/200/300mm或根據客戶(hù)要求定制 |
晶圓厚度 | 250~750um+25um或根據客戶(hù)要求定制 |
口徑大小和形狀 | 根據客戶(hù)要求定制 |
口徑深度 | 200~500um或視基盤(pán)厚度深度可調 |
平/或缺口 | Available |
其他 | 可加工異形槽、方形槽等,根據客戶(hù)設計要求定制 |
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